В Томске пройдут два международных форума

С 19 по 24 сентября в Томске, в Институте сильноточной электроники СО РАН, пройдут сразу два крупных научных форума: XVI Международный симпозиум по сильноточной электронике и X Международная конференция по модификации материалов пучками заряженных частиц и потоками плазмы, сообщает пресс-служба областной администрации.

Совмещение этих конференций, традиционно проводимых в Томске, преследует цель более тесного взаимодействия ученых из указанных научных отраслей. Участники конференций обсудят современные проблемы генерации сверхмощных электрических импульсов, получения и транспортировки интенсивных потоков заряженных частиц, плазмы, СВЧ и рентгеновского излучений, их применения в медицине, биологии и химических технологиях; физические и химические процессы, протекающие в твердых телах под действием интенсивного облучения; использование пучков частиц и плазмы для модификации механических, тепловых, электрических, оптических и коррозионных свойств материалов.

Церемония открытия симпозиума и конференции состоится в понедельник, 20 сентября, в 9.00 в конгресс-центре "Рубин".