ООО "Микран" к 2010 году создаст значительные мощности по выпуску микроэлектроники в Томской ОЭЗ - глава ООО

ООО "Научно производственная фирма "Микран" (Томск) к 2010 году разместит в Томской особой экономической зоне (ОЭЗ) 3 тыс. кв. м "чистых" помещений для производства интегральных схем и микроэлектроники, сообщил генеральный директор компании Виктор Гюнтер в ходе визита на предприятие губернатора Томской области Виктора Кресса.

"Планируемые для ОЭЗ производства предназначены для разработки и выпуска монолитных GaAs (арсенид-галиевых) функциональных элементов, микрочипов и интегральных схем. С их вводом мы выйдем на объемы, которые позволят обеспечить потребности России в данной продукции на 100%", - передает слова В.Гюнтера агентство "Интерфакс-Сибирь".

С 2007 года, отметил генеральный директор, компания уже смонтировала на собственных площадях (вне территории ОЭЗ - ИФ) 150 кв. метров "чистых" помещений и ввела в эксплуатацию установки фотолитографии и линию плазменного осаждения диэлектрических слоев, начав производство основных элементов активной фазированной антенной решетки для истребителей пятого поколения.

По словам В. Гюнтера, "Микран" также расширил объем и номенклатуру выпускаемой радиорелейной аппаратуры, включая цифровые радиорелейные станции для магистральных и внутризоновых линий связи, увеличив долю на российском рынке до 60%.

ООО НПФ "Микран" основано в 1991 году. Основными направлениями деятельности компании являются разработка и производство телекоммуникационной аппаратуры, производство модулей и узлов СВЧ-диапазона, производство радиоизмерительных приборов СВЧ-диапазона, производство монолитных интегральных GaAs функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона.