В ТГУ обсудят последние достижения наноэлектроники и полупроводниковых нанотехнологий

Завтра, 3 октября в 10.00 в Конференц-зале ТГУ откроется девятая международная конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» «GaAs - 2006», сообщает пресс-служба ТГУ. Ученые ведущих научных центров России, Франции, Японии, США, Чехии и Финляндии в течение трех дней будут обсуждать вопросы, связанные с применением нанотехнологий в электронике, биологии, медицине и пр. Тематика конференции относится к приоритетным направлениям современной науки и техники и является особенно актуальной в контексте создания в Томске технико-внедренческой зоны.

Иван Варфоломеевич Ивонин, начальник Научного управления ТГУ: «Сейчас ясно, что малые предприятия, которые созданы на основе разработок нашего университета, являются претендентами на вхождение в ТВЗ. Прежде всего, это производство детекторов ионизирующего излучения и газовых сенсоров. Еще один круг разработок, которые, мы надеемся, тоже привлекут внимание ТВЗ – это устройства хранения данных (разработаны совместно с новосибирским и красноярскими учеными). Конкретно, в настоящее время существует необходимость увеличения емкости флеш-памяти - эта задача решается ТГУ, Институтом полупроводников и институтом неорганической химии СО РАН».

Всего за время работы конференции планируется заслушать более 130 докладов, в том числе посвященных теме нанотехнологий. Представленные разработки помогут в будущем, например, решить вопросы замены источников освещения на более безопасные и экономичные, создать специальные устройства, которые бы могли свободно перемещаться по каналам человеческого тела и лечить сложные заболевания и т.д.