Nokia и томский "Микран" создали совместное предприятие по выпуску базовых станций 4G
Nokia Siemens Networks (NSN) и томское ЗАО "НПФ "Микран" (резидент Томской ОЭЗ) в понедельник, 19 сентября, подписали соглашение о распределении долей в ООО "Центр беспроводных технологий" (ЦБТ), которое займется производством базовых станций для сетей мобильной связи четвертого поколения (4G) по технологии Long Term Evolution (LTE), сообщает информационное агентство "Интерфакс-Сибирь".
"Соглашение позволит привлечь лучших экспертов в отрасли, а также удовлетворить спрос на оборудование для сетей 4G", - сообщили "Интерфаксу" в пресс-службе "Микрана".
Гендиректор Nokia Siemens Networks в России Кристина Тихонова сообщила журналистам в понедельник, что NSN B.V. и российской NSN совокупно принадлежат 75% долей в совместном предприятии. Остальными 25% владеет "Микран". В конце текущего года, как предполагается, "Роснано" присоединится к проекту и также станет владельцем 25% доли в СП. В какой форме будет осуществлен трансфер - пока, по словам К.Тихоновой, не решено.
"Скорее всего, будет организована продажа доли в ЦБТ", - сказала она.
Сотрудник пресс-службы "Микрана" отметил, что соглашение предусматривает передачу со стороны Nokia Siemens данных, необходимых для организации серийного производства. Так, специалисты "Микрана" будут использовать технологии, ноу-хау и оборудование Nokia Siemens для производства станций для сетей 4G стандарта LTE, включая системные модули, радиомодули и узлы для сетей LTE. Все это будет выпускаться на производственной линии полного цикла, аналоги которой работают на трех других предприятиях NSN, выпускающих оборудование LTE.
В настоящее время в России отсутствуют требования к сертификации оборудования LTE. По словам К.Тихоновой, на томском производстве планируется выпускать оборудование мульти-радио, в котором программным способом возможно переключение с LTE на 3G и 2G.
Стороны также договорились о том, что серийное производство станций будет запущено в IV квартале 2011 года. Официальный запуск производства намечен на следующий месяц. При этом К.Тихонова отметила, что сама линия была установлена к началу сентября, когда на ней силами "Микрана" были собраны первые образцы оборудования.
Год назад Nokia Siemens Networks приняла решение о включении России в список стратегических стран и организации в ней своей индустриальной платформы. Речь идет о переносе в Россию всех звеньев технологической цепочки: НИОКР, производство и сервис. По словам К.Тихомировой, бюджет всей этой программы составляет десятки миллионов евро.
Как сообщалось ранее, в марте Nokia Siemens Networks, ОАО "Роснано", "Микран" и администрация Томской области подписали соглашение о намерении запустить производство базовых станций LTE. Предполагается, что производство 10 тыс. станций в год будет достигнуто в 2012 году. Точный объем выпускаемой продукции будет зависеть от ситуации на рынке. Предполагается, что на окупаемость предприятие выйдет через три года.
Стоимость создания производства в Томске не раскрывалась, К.Тихонова отмечала, что подобный проект в Западной Европе обходится в $50 млн.
С переносом в Россию всей технологической цепочки производства NSN, фактически, выполнила требования, которым должны будут соответствовать зарубежные вендоры, желающие получить статус российского производителя оборудования LTE. Соответствующий совместный приказ Минэкономразвития и Минпромторга об утверждении этих требований находится на утверждении в Минюсте. К.Тихонова рассчитывает, что компания будет соответствовать этим требованиям, за исключением одного момента (более 50% производства должно находиться в собственности российских юридических и физических лиц). При этом глава NSN Россия отметила, что компания не пойдет на уменьшение своей доли в ЦБТ. "Либо производство является частью компании и работает в соответствии с ее планами и стандартами, либо не имеет к ней отношения", - сказала К.Тихонова.
Скорость передачи данных по технологии LTE достигает 326 Мб/с на прием и 172 Мб/с на отдачу. Радиус действия базовой станции может достигать 30 км.
НПФ "Микран" специализируется на разработке и производстве телекоммуникационной аппаратуры, производстве модулей и узлов СВЧ-диапазона, производстве контрольно-измерительных приборов СВЧ-диапазона и аксессуаров СВЧ-тракта, производстве монолитных интегральных GaAs функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона, производстве радиолокационного оборудования.
Томская ОЭЗ технико-внедренческого типа создана в Томске в декабре 2005 года и специализируется на трех направлениях: IT и электроника, медицина и биотехнологии, новые материалы и нанотехнологии. Томская ОЭЗ состоит из двух площадок - Северной и Южной - общей площадью около 300 га.